2023年9月14日 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市 2024年7月26日 A:第一,国产碳化硅外延设备,与海外设备比较,已经逐步取得优势。 第二,国内的碳化硅外延设备主要以水平式技术路线为主,垂直气流设备目前只有芯三代 InSemiTalk碳化硅竞逐“8英寸”,垂直腔外延设备为什么热度 ...
了解更多2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底切片设备加速国产化。 碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势,晶体生长和切割是产业化瓶颈。 优势:1)高性 2023年2月26日 26日. 机械设备. 关注碳化硅设备国产化突破和加速. ——行业周报. 机械设备. 沪深. 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料. 300 与硅基半导体材 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
了解更多2022年12月15日 今年11月,上机数控在官微表示,公司在碳化硅切割领域取得了较大突破,自行研发的碳化硅切片设备获得成功,开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。2023年10月20日 碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】. 1、关键假设、驱动因素及主要预测. 关键假设:. 1)新能源汽 碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延 ...
了解更多2023年5月4日 首次覆盖碳化硅设备行业,给予增持评级。 推荐标的:实现高线速碳化硅金刚线切片机批量销售,已推出8寸碳化硅金刚线切片机并持续推进设备国产替代的高测股 2023年2月27日 与硅基半导体材料相比,碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势,适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器 机械设备行业周报:关注碳化硅设备国产化突破和加速 ...
了解更多2022年12月15日 因此,包括CREE、II-VI、SiCrystal等国际碳化硅领先企业都是以自研设备为主,国内方面,天科合达、河北同光、山西烁科等老牌碳化硅衬底厂商也是采用自研设备的路线,露笑科技、晶盛机电和上机数控均是从自研碳化硅长晶炉设备开展碳化硅衬底业务。2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底切片设备加速国产化。 碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势,晶体生长和切割是产业化瓶颈。 优势:1)高性能:碳化硅相比硅有四大优势:大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场,做成的器件对应有四高性能:高功率、高频率、高温 ...碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底切片设备 ...
了解更多2024年3月22日 该设备专为中国市场定制,并结合半导体行业生产特点,将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合,采用PVT法(物理气相传输工艺)生产碳化硅晶体,计划于2024年第二季度投入市场。 德国PVA TeP2023年7月14日 面,公司8英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际领先水平。 3)半导体零部件:上游延伸零部件业务,平台化布局空间打开。公司向上游延伸坩锅、金刚 线、阀门、管接头、磁流体等半导体零部件业务,有望进入加速成长期。迈向半导体 碳化硅设备龙头,设备 零部件协同布局铸造高壁垒
了解更多2023年11月30日 本发明涉及碳化硅外延,尤其涉及一种碳化硅外延设备的校温方法。背景技术: 1、碳化硅外延过程需要在低压环境的密闭石英腔体中进行。因此碳化硅外延设备通常采用非接触的红外测温技术监测和控制工艺温度。2020年10月21日 以碳化硅MOSFET工艺为例,整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布,有哪些工艺设备?有多难做 ...
了解更多2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速,供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致,但部分工艺段使用专用设备,部分需要在硅设备基础上加以改进。根据我们梳理,目前长晶设备已基本实现国产化2022年3月2日 晶盛机电:长晶设备龙头;碳化硅获 23 万片重大订单突破 公司成立于 2006 年,为国内晶体生长设备龙头,下游覆盖光伏、半导体、蓝宝石、 SiC 碳化硅 4 大领域。 1) 光伏设备:公司为光伏单晶炉设备龙头,客户覆盖除隆基以外的绝大多硅片 ...碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有 ...
了解更多2022年8月11日 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 韩跃斌1,2,蒲 勇1,2,施建新1,2 (1.材料科学姑苏实验室,苏州 215000;2.芯三代半导体科技(苏州)有限公司,苏州 215021) 摘要:碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺2024年4月19日 (2)半绝缘碳化硅晶锭单片损耗≤30um;导电型单片损耗≤60um,产片率提升>50%。4. 市场应用前景 大尺寸碳化硅激光切片设备是未来8英寸碳化硅晶锭切片的核心设备。目前大尺寸碳化硅晶锭激光切片设备仅日本能提供,价格昂贵且对中国禁运。成果推介:大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
了解更多2023年8月29日 同时,我们紧跟碳化硅产业向更大尺寸发展的趋势,研发并交付了8英寸碳化硅外延设备,其具备独特的反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式等特点,将更好的提高外延片的均匀性,降低外延缺陷及生产中的耗材成本。目前,该设备已销售多个客户。4月9日,华工科技将携化合物半导体激光+量测先进装备解决方案亮相2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会。 碳化硅检测灵睛Aeye系列智能装备 碳化硅衬底外观缺陷检测智能装备 碳化硅晶圆关键尺寸测量智能装备 华工科技自主研发的 ...今天!华工科技碳化硅检测设备灵睛Aeye系列新品首发!
了解更多2023年7月17日 半导体硅片核心设备包括:长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似,但不同之处在于: 1)光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%,而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外延炉在整线中价值量占比均较高; 2)由于技术壁垒较高,半导体硅片单台 ...2024年7月26日 如今6英寸碳化硅设备市场趋于饱和,8英寸碳化硅设备如何快速迭代赢得市场? 在大范围爆发前,制造厂采购8英寸设备的障碍是什么 A: 目前市场还是以6英寸为主, 8英寸完全替代6英寸有以下几个难点:第一,当下8英寸刚解决了有和无的问题,运行成本和稳定性问题有待优化解决。InSemiTalk碳化硅竞逐“8英寸”,垂直腔外延设备为什么热度 ...
了解更多2024年6月5日 2024年世界碳化硅大会在武汉举办获得圆满成功,在大会上,诸多碳化硅产业的专业人员也给我们分享了这个行业目前的进展以及相关产业的研究进度,那么本文将带来上海优睿谱半导体设备有限公司关于碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度6 天之前 半绝缘碳化硅晶锭单片损耗≤30um;导电型单片损耗≤60um,产片率提升>50%。 在市场应用前景方面,大尺寸碳化硅激光切片设备是未来8英寸碳化硅晶锭切片的核心设备。目前大尺寸碳化硅晶锭激光切片设备仅日本能提供,价格昂贵且对中国禁运。大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 - 艾邦半导体网
了解更多5 天之前 公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺,于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备,经持续工艺优化,目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH SiC RV4.0电阻法碳化硅长晶设备,可用于6英寸、8英寸量产。2024年2月20日 CVD 碳化硅零部件被广泛应用于刻蚀设备、MOCVD 设备、Si 外延设备和 SiC 外延设备、快速热处理设备等领域。 2)CVD 碳化硅零部件全球市场规模 根据 QY Research 数据统计及预测,2022 年全球 CVD 碳化硅零部件市场规模达到 8.13 亿美元,预计 2028 年将达到 14.32 亿美元,年复合增长率(CAGR)为 9.89%。半导体设备用碳化硅零部件行业市场情况分析
了解更多2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸(6英寸及以上)导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺,于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备,经持续工艺优化,目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH ...2023年8月28日 SiC衬底激光剥离设备是一款基于SPARC激光技术实现碳化硅衬底高效剥离的设备,能够实现对SiC晶锭的精准定位、均匀加工、连续剥离。 该设备适用于不同厚度和尺寸的SiC衬底加工,为SiC衬底的生产提供了革新的解决方案,有效降低SiC材料的切片 ...SiC衬底激光剥离设备-西湖仪器(杭州)技术有限公司
了解更多2024年3月20日 今年一季度,碳化硅半导体行业进入传统淡季,然而优晶科技等企业却逆势增长:获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单,同时还将与2家韩国客户签约;获得国内200台设备订单,并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议;究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的青睐?2024年1月16日 投资建议 近期,随着多款搭载800V平台的车型发布,以及头部材料厂商扩产计划超预期,碳化硅产业链迎来频繁催化。我们认为,需求端新能源车+光伏上量与供给端良率突破或于2024 年迎来共振,碳化硅有望迎接大规模放量;国内厂商产能规划亦积极,提升了设备国产化需求,建议关注价值量占比 ...碳化硅设备:2024 SIC开启放量 加速设备国产化替代 - 新浪财经
了解更多2024年3月18日 刻蚀设备 :CVD碳化硅零部件最大细分市场为刻蚀设备。刻蚀设备中CVD碳化硅零部件包含聚焦环、气体喷淋头、托盘、边缘环等,由于CVD 碳化硅对含氯和含氟刻蚀气体的低反应性、导电性,使其成为等离子体刻蚀设备聚焦环等部件的理想材料 ...2024年4月5日 四、半导体设备碳化硅(SiC)零部件行业的进入壁垒和发展趋势 (一)进入壁垒 1、技术壁垒 LED 外延片、SiC 外延片、Si 外延片制备及集成电路制造过程中,反应腔内为高温环境、气氛恶劣,对内部零部件损伤大。碳化硅材料零部件的精密度 ...半导体设备碳化硅(SiC)零部件行业研究报告-上海陶瓷展-聚展
了解更多2023年12月14日 【中金机械 碳化硅设备】碳化硅设备:2024 SiC开启放量,加速设备国产化替代 近期,随着多款搭载800V平台的车型发布,以及头部材料厂商扩产计划超预期,碳化硅产业链迎来频繁催化。 我们认为,需求端新能源车+光伏上量与供给端良率突破或 ...2 天之前 近日,南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术,标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。该技术不仅解决了传统切割技术中的高材料损耗问题,还大幅提高了生产效率,对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重大意义。突破!南京大学推出碳化硅激光切片技术
了解更多2024年4月26日 南京大学研发的大尺寸碳化硅激光切片设备与技术,在新材料领域特别是第三代半导体材料加工设备方面取得了显著突破。该技术不仅解决了传统多线切割技术带来的高损耗率和长加工周期等问题,还提高了碳化硅器件制造的效率和质量。2023年2月17日 碳化硅在新能源汽车市场渗透率快速上升,据Yole预测,到2025年,碳化硅器件复合年增长率将达到30%。以碳化硅为代表的第三代半导体被国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要列入重要发展方向。6英寸双片式碳化硅外延设备揭幕仪式晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备-晶盛机电 ...
了解更多2023年12月29日 《2023中国碳化硅(SiC)设备市场研究报告》 第一卷 目录 上滑翻页 一 中国碳化硅设备总体市场规模及趋势 1. 中国碳化硅设备整体市场规模及趋势 2. 中国碳化硅衬底设备(除量测设备)市场规模及趋势 3. 中国碳化硅外延设备(除量测设备)市场规模及趋势 4.
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